Brevetto: [347] Home page tipologia

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Prodotti della tipologia (ordinati per Data di deposito in Decrescente ordine): 81 a 100 di 347
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Riscaldatore ohmico e metodo di funzionamento 4-dic-2017 Catelli, Roberto; Franceschini, Giovanni; Cova, Paolo; Romei, Stefano; Soldati, Alessandro; Toscani, Andrea
Fabrication of single or multiple gate field plates 17-mar-2005 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造 8-mar-2007 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Double-channel hemt device and manufacturing method thereof 4-giu-2019 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
双沟道hemt器件及其制造方法 25-nov-2016 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
Double-channel hemt device and manufacturing method thereof 30-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
Double-channel HEMT device and manufacturing method thereof 29-dic-2016 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
在断态期间具有高应力顺应性的hemt晶体管及其制造方法 11-giu-2018 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
高电子迁移率晶体管 11-giu-2018 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
High electron mobility transistor and manufacturing method thereof 8-giu-2018 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
單一或多重閘極場平板之製造 1-lug-2005 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
單一或多重閘極場平板之製造 1-mar-2012 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Fabrication of single or multiple gate field plates 15-mar-2013 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Fabrication of single or multiple gate field plates 17-mar-2005 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Impianto e procedimento per l'abbattimento di inquinanti su un flusso gassoso 11-feb-2020 Barbieri, Luisa; Lancellotti, Isabella; Bellei, Marco; Zanasi, Stefano; Moretti, Gianni; Tazzioli, Gabriella
Riscaldatore ohmico 4-dic-2017 Catelli, Roberto; Cova, Paolo; Romei, Stefano; Soldati, Alessandro; Franceschini, Giovanni; Toscani, Andrea
常关断型hemt晶体管 26-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
常关断型hemt晶体管以及对应的制造方法 26-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
Hemt-transistor des normalerweise ausgeschalteten typs mit einem graben, der einen gatebereich enthält und mindestens eine stufe bildet, sowie entsprechendes herstellungsverfahren 25-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
HEMT transistor of the normally off type including a trench containing a gate region and forming at least one step, and corresponding manufacturing method 19-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
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Tipologia
  • ALTRO347
Autore
  • CHINI, Alessandro31
  • COSTI, Maria Paola20
  • CAPELLI, Raffaella15
  • ROVATI, Luigi15
  • FRANCESCHINI, GIOVANNI11
  • FERRARI, Stefania10
  • PERSICO, Antonio10
  • DE LUCA, Michele9
  • MESSORI, Massimo9
  • TONDI, Donatella9
Data di pubblicazione
  • 2020 - 202426
  • 2010 - 2019143
  • 2000 - 200937
  • 1990 - 199913
  • 1987 - 19892
Keyword
  • HEMT29
  • Power FET29
  • WBG Semiconductors28
  • organic light emitting transistors4
  • -3
  • Actuator3
  • amianto3
  • Automotive3
  • biomateriali3
  • boronic acids3
Lingua
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