TONINI, Rita

TONINI, Rita  

Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A fast technique for the quantitative analysis of channeling RBS spectra 1-gen-1992 Cerofolini, Gf; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Adsorption equilibria and kinetics of H2 at nearly ideal (2 x 1) Si(1 0 0) inner surfaces 1-gen-2010 G. F., Cerofolini; E., Romano; D., Narducci; Corni, Federico; Frabboni, Stefano; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Bandgap widening in quantum sieves 1-gen-1996 Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Copper–titanium thin film interaction 1-gen-2004 L., Castoldi; G., Visalli; S., Morin; P., Ferrari; S., Alberici; Ottaviani, Giampiero; Corni, Federico; Tonini, Rita; Nobili, Carlo Emanuele; M., Bersani
Crystallization kinetics of boron- and germanium-implanted 〈100〉 Si: a balance between doping and strain effects 1-gen-1992 Corni, Federico; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; Servidori, M; Priolo, F.
Damage evolution in helium-hydrogen co-implanted (100) silicon 1-gen-2002 Tonini, Rita; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Ottaviani, Giampiero; Cazzaniga, F; Queirolo, G.
DLTS and EPR study of defects in H implanted silicon 1-gen-2002 V., Miksic; B., Pivac; B., Rakvin; H., Zorc; Corni, Federico; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero
Early stages of bubble formation in helium-implated (100) silicon 1-gen-2003 B., Pivac; O., Milat; P., Dubcek; S., Bernstorff; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita
Effects of static disorder on LACBED patterns of single crystal silicon implanted with hydrogen 1-gen-1997 Frabboni, Stefano; Gambetta, F; Tonini, Rita; Balboni, R; Armigliato, A.
Electron paramagnetic resonance evidence for reversible transformation of thermal donor into shallow donor-type center in hydrogen-implanted silicon 1-gen-1998 Rakvin, B; Pivac, B; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
Electron paramagnetic resonance study of S2 defects in Hydrogen implanted Silicon 1-gen-2000 B., Rakvin; B., Pivac; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
EPR study of He-implanted Si 1-gen-2000 Pivac, B; Rakvin, B; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
Evidence for H-2 at high pressure in the silicon nanocavities after dipping in HF solution 1-gen-2009 Romano, E.; Cerofolini, G. F.; Narducci, D.; Corni, Federico; Frabboni, Stefano; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
EVIDENCE FOR MOLECULAR-HYDROGEN IN SINGLE-CRYSTAL SILICON 1-gen-1991 Meda, L; Cerofolini, Gf; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Corni, Federico; Balboni, R; Anderle, M; Canteri, R; Dierckx, R.
Evolution of defect profiles in He-implanted silicon studied by slow positrons 1-gen-1997 Brusa, Rs; Karwasz, Gp; Tiengo, N; Zecca, A; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Evolution of vacancy-like defects in He-implanted (100) Si studied by thermal desorption spectrometry 1-gen-2000 Corni, Federico; G., Calzolari; Gambetta, Francesca; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Zapparoli, Mauro
Formation of vacancy clusters and cavities in He-implanted silicon studied by slow-positron annihilation spectroscopy 1-gen-2000 R. S., Brusa; G. P., Karwasz; N., Tiengo; A., Zecca; Corni, Federico; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero
Giant radiation damage produced by the impact of heavy molecular ions onto silicon single crystal 1-gen-1993 Cerofolini, Gf; Bertoni, S; Meda, L; Balboni, R; Corni, Federico; Frabboni, Stefano; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Para, Af
GISAXS study of defects in He implanted silicon 1-gen-2000 P., Dubcek; O., Milat; B., Pivac; S., Bernstorff; H., Amenitsch; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
GISAXS Study of Hydrogen Implanted Silicon 1-gen-2004 B., Pivac; P., Dub; Ek, ; S., Bernstorff; Corni, Federico; Tonini, Rita