Bandgap widening in quantum sieves

Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita

doi:10.1016/0921-5107(95)01267-2

Dense distributions of separate insulating regions in silicon may produce Anderson localization and hence a kind of confinement. This weak confinement is expected to be responsible for visible photoluminescence with different features from that observed in porous or nanocrystalline silicon. Dense distributions of separate insulating regions may be produced by ion implantation of a suitable species followed by an appropriate heat treatment. The visible photoluminescence observed in ion-implanted Si:H, Si:O and Si:He is explained in terms of exciton weak confinement.

Bandgap widening in quantum sieves / Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - STAMPA. - 36(1996), pp. 108-111. [10.1016/0921-5107(95)01267-2]

Data di pubblicazione:	1996
Titolo:	Bandgap widening in quantum sieves
Autore/i:	Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Autore/i UNIMORE:	Cerofolini GF Meda L Bisero D CORNI, Federico OTTAVIANI, Giampiero TONINI, Rita mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(95)01267-2
Rivista:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
Volume:	36
Pagina iniziale:	108
Pagina finale:	111
Codice identificativo ISI:	WOS:A1996TX24200023
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0042538637
Citazione:	Bandgap widening in quantum sieves / Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - STAMPA. - 36(1996), pp. 108-111. [10.1016/0921-5107(95)01267-2]
Tipologia	Articolo su rivista

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