OSSICINI, Stefano

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	Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)
1	Work Function Measurement of Silicon Germanium Heterostructures Combining Kelvin Force Microscopy and X-ray Photoelectron Emission Microscopy	2015	Pouch, Sylvain; Amato, Michele; Bertocchi, Matteo; Ossicini, Stefano; Chevalier, Nicolas; Melin, Thierry; Hartmann, Jean Michel; Renault, Olivier; Delaye, Vincent; Mariolle, Denis; Borowik, Lukasz
2	Work function bowing in Si1−xGex heterostructures: Ab initio results	2016	Amato, Michele; Bertocchi, Matteo; Ossicini, Stefano
3	Will silicon be the photonics material of the third millennium?	2003	L., Pavesi; L., Dal Negro; N., Daldosso; Z., Gaburro; M., Cazzanelli; F., Iacona; G., Franzo; D., Pacifici; F., Priolo; Ossicini, Stefano; Luppi, Marcello; Degoli, Elena; Magri, Rita
4	What is What in the NanoworldA Handbook on Nanoscience and Nanotechnology	2012	V. E., Borisenko; Ossicini, Stefano
5	What is What in the Nanoworld: A Handbook on Nanoscience and Nanotechnology	2004	V. E., Borisenko; Ossicini, Stefano
6	What is What in the Nanoworld A Handbook on Nanoscience and Nanotechnology Second, Completely Revied and Enlarged Edition	2008	V. E., Borisenko; Ossicini, Stefano
7	Understanding doping in silicon nanostructures	2006	Ossicini, Stefano; F., Iori; Degoli, Elena; E., Luppi; Magri, Rita; R., Poli; G., Cantele; F., Trani; D., Ninno
8	Understanding doping at the nanoscale: the case of codoped Si and Ge nanowires	2014	Michele, Amato; Riccardo, Rurali; Maurizia, Palummo; Ossicini, Stefano
9	Tuning the Work Function of Si(100) Surface by Halogen Absorption: A DFT Study	2017	Bertocchi, M.; Amato, M.; Marri, I.; Ossicini, S.
10	True direct gap absorption in germanium quantum films.	2002	Kholod, A. N.; Ossicini, Stefano; Borisenko, V. E.; D'Avitaya, F. A.
11	Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals	2006	D., Ninno; F., Trani; G., Cantele; Kj, Hameeuw; G., Iadonisi; Degoli, Elena; Ossicini, Stefano
12	Theory of Core-level Shifts of Clean and Covered Surfaces	1992	Bisi, Olmes; Ossicini, Stefano; C., Arcangeli
13	THEORETICAL STUDIES OF ABSORPTION, EMISSION AND GAIN IN SILICON NANOSTRUCTURES	2008	Degoli, Elena; Guerra, Roberto; Iori, Federico; Magri, Rita; Marri, Ivan; Ossicini, Stefano
14	Theoretical approaches to the Schottky Barrier Problem	1992	Ossicini, Stefano
15	The Role of the Surface Coverage on the Structural and the Electronic Properties of TiO2 Nanocrystals	2009	A., Iacomino; G., Cantele; F., Trani; D., Ninno; Marri, Ivan; Ossicini, Stefano
16	The optical transition in porous Si: The effects of quantum confinement, surface states and hydrogen passivation	1996	Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes
17	The optical transition in a silicon wire passivated by H and O-H	1997	Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes
18	The luminescence transition in porous silicon: The nature of the electronic states	1996	L., Dorigoni; Bisi, Olmes; F., Bernardini; Ossicini, Stefano
19	The influence of rare gas matrix on the electronic levels of isolated atoms	1980	Forstmann, F.; Ossicini, Stefano
20	The He *(1s, 2s)+Ne interaction potential	1985	Ossicini, Stefano

Dettaglio

Nome completo:

OSSICINI, Stefano

struttura:

Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria

settore SSD:

Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale