EnglishABSTRACT We study the effect of H. O passivation and inter-wire interaction on the optical properties of nanoscale Si wires. We find that wires with diameters as small as 10-25 AA are active in the visible range. Inter-wire interaction leads to the presence of localized states which lower the band gap energy. The presence of dangling bonds generates broad features in the infrared region. O-Si bonds reduce the optical threshold. These results are important for the discussions concerning absorption and luminescence in porous silicon.
| Anno di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | Ab-initio calculation of the optical properties of silicon quantum wires |
| Autori: | S. OSSICINI; BIAGINI M.; BERTONI C. M.; ROMA G.; BISI O. |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 452 |
| Pagina iniziale: | 63 |
| Pagina finale: | 68 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/459154
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