EnglishABSTRACT We study the effect of H. O passivation and inter-wire interaction on the optical properties of nanoscale Si wires. We find that wires with diameters as small as 10-25 AA are active in the visible range. Inter-wire interaction leads to the presence of localized states which lower the band gap energy. The presence of dangling bonds generates broad features in the infrared region. O-Si bonds reduce the optical threshold. These results are important for the discussions concerning absorption and luminescence in porous silicon.
| Data di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | Ab-initio calculation of the optical properties of silicon quantum wires |
| Autore/i: | Ossicini, Stefano; Biagini, M.; Bertoni, Carlo Maria; Roma, G.; Bisi, Olmes |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS |
| Volume: | 452 |
| Pagina iniziale: | 63 |
| Pagina finale: | 68 |
| Citazione: | Ab-initio calculation of the optical properties of silicon quantum wires / Ossicini, Stefano; Biagini, M.; Bertoni, Carlo Maria; Roma, G.; Bisi, Olmes. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 452(1997), pp. 63-68. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/459154
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