OTTAVIANI, Giampiero

OTTAVIANI, Giampiero  

Dip. FISICA (attivo dal 01/01/1900 al 29/06/2012)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A fast technique for the quantitative analysis of channeling RBS spectra 1-gen-1992 Cerofolini, Gf; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
A Problem for educational research: The updating of the curriculum 1-gen-1996 Corni, Federico; Mazzega, Ezio; Ottaviani, Giampiero; Michelini, M; MICHELUTTI G., L; Santi, L.
A simple on-line system employed in diffraction experiments 1-gen-1993 Corni, Federico; Mascellani, V; Mazzega, Ezio; Michelini, M; Ottaviani, Giampiero
A Tool for the Spectroscopic Investigation of Hydrogen-Silicon Interaction 1-gen-2010 E., Romano; G. F., Cerofolini; D., Narducci; Corni, Federico; Frabboni, Stefano; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Adsorption equilibria and kinetics of H2 at nearly ideal (2 x 1) Si(1 0 0) inner surfaces 1-gen-2010 G. F., Cerofolini; E., Romano; D., Narducci; Corni, Federico; Frabboni, Stefano; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
AES Study of Room Temperature Oxygen Interaction with Near Noble Metal-Silicon Compounds Surface 1-gen-1985 Valeri, Sergio; DEL PENNINO, Umberto; P., Lomellini; Ottaviani, Giampiero
Bandgap widening in quantum sieves 1-gen-1996 Cerofolini, Gf; Meda, L; Bisero, D; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita
Capire la Time-Resolved Reflectivity: una tecnica di analisi basata sull’interferenza da lamina sottile 1-gen-1995 Corni, Federico; Mazzega, Ezio; Michelini, Marisa; Ottaviani, Giampiero
Characterization of Bioacceptable Carbon Materials 1-gen-1990 Magri, Rita; C., Mariani; Ottaviani, Giampiero
Copper–titanium thin film interaction 1-gen-2004 L., Castoldi; G., Visalli; S., Morin; P., Ferrari; S., Alberici; Ottaviani, Giampiero; Corni, Federico; Tonini, Rita; Nobili, Carlo Emanuele; M., Bersani
Costruire i diagrammi di fase dai dati sperimentali: una proposta didattica 1-gen-2005 Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero; M., Michelini
Crystallization kinetics of boron- and germanium-implanted 〈100〉 Si: a balance between doping and strain effects 1-gen-1992 Corni, Federico; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; Servidori, M; Priolo, F.
Damage evolution in helium-hydrogen co-implanted (100) silicon 1-gen-2002 Tonini, Rita; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Ottaviani, Giampiero; Cazzaniga, F; Queirolo, G.
Dilute NiPt alloy interactions with Si 1-gen-1993 Corni, Federico; Gregorio, Bg; Ottaviani, Giampiero; Queirolo, G; Follegot, Jp
DLTS and EPR study of defects in H implanted silicon 1-gen-2002 V., Miksic; B., Pivac; B., Rakvin; H., Zorc; Corni, Federico; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero
ELECTRICAL STUDIES ON H-IMPLANTED SILICON 1-gen-1994 Bruni, Michele; Bisero, D; Tonini, R; Ottaviani, Giampiero; Queirolo, G; Bottini, R.
Electron paramagnetic resonance evidence for reversible transformation of thermal donor into shallow donor-type center in hydrogen-implanted silicon 1-gen-1998 Rakvin, B; Pivac, B; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
Electron paramagnetic resonance study of S2 defects in Hydrogen implanted Silicon 1-gen-2000 B., Rakvin; B., Pivac; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero
Electronic properties of Silicon - transition metal interface compounds 1-gen-1985 CALANDRA BUONAURA, Carlo; Bisi, Olmes; Ottaviani, Giampiero
EPR study of He-implanted Si 1-gen-2000 Pivac, B; Rakvin, B; Tonini, Rita; Corni, Federico; Ottaviani, Giampiero