An investigation has been made into the behaviour of high-purity silicon (HP-Si) during the fabrication of microstrip detectors. The resistivity of the silicon used is 3 k-OMEGA cm. The investigation is centred on standard bipolar processes based on ion implantation. It is found that, comparing the processes used, the best diode characteristics are achieved when a heat treatment at 600-degrees-C is used after the ion-implantation step, whereas the worst results from an implantation and a 900-degrees-C heat treatment. Thus it is shown that if integration of the electronic circuitry and the detector on a single chip is required, then the high-temperature heat treatments must be done before the ion-implantation step needed for detector fabrication.
Processing high-quality silicon for microstrip detectors / Nava, Filippo; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Frabboni, Stefano; A., Alberigi Quaranta; P., Cantoni; P. L., Frabetti; L., Stagni; G., Queirolo; P. F., Manfredi. - In: SENSORS AND ACTUATORS. A, PHYSICAL. - ISSN 0924-4247. - STAMPA. - 32(1992), pp. 366-371.
Data di pubblicazione: | 1992 |
Titolo: | Processing high-quality silicon for microstrip detectors |
Autore/i: | Nava, Filippo; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Frabboni, Stefano; A., Alberigi Quaranta; P., Cantoni; P. L., Frabetti; L., Stagni; G., Queirolo; P. F., Manfredi |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/0924-4247(92)80014-T |
Rivista: | |
Volume: | 32 |
Pagina iniziale: | 366 |
Pagina finale: | 371 |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1992HX80300014 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0026854696 |
Citazione: | Processing high-quality silicon for microstrip detectors / Nava, Filippo; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Frabboni, Stefano; A., Alberigi Quaranta; P., Cantoni; P. L., Frabetti; L., Stagni; G., Queirolo; P. F., Manfredi. - In: SENSORS AND ACTUATORS. A, PHYSICAL. - ISSN 0924-4247. - STAMPA. - 32(1992), pp. 366-371. |
Tipologia | Articolo su rivista |
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