Visible photoluminescence from He‐implanted silicon

Bisero, D.; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; Mazzoleni, C.; Pavesi, L.

doi:10.1063/1.115275

Visible photoluminescence has been observed at cryogenic temperatures from crystalline Si bombarded with He and exposed to H either as plasma or gas in the 250-450 degrees C temperature range. The experimental results are consistent with the formation of Si nanoparticles produced by He segregation, which is responsible for exciton localization, and H passivation of the nonradiative recombination centers.

Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67:(1995), pp. 3447-3450. [10.1063/1.115275]

Data di pubblicazione:	1995
Titolo:	Visible photoluminescence from He‐implanted silicon
Autore/i:	D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi
Autore/i UNIMORE:	D. Bisero CORNI, Federico NOBILI, Carlo Emanuele TONINI, Rita OTTAVIANI, Giampiero C. Mazzoleni L. Pavesi mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1063/1.115275
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Volume:	67
Pagina iniziale:	3447
Pagina finale:	3450
Codice identificativo ISI:	WOS:A1995TH28700026
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0029635761
Citazione:	Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67:(1995), pp. 3447-3450. [10.1063/1.115275]
Tipologia	Articolo su rivista

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