EnglishVisible photoluminescence has been observed at cryogenic temperatures from crystalline Si bombarded with He and exposed to H either as plasma or gas in the 250-450 degrees C temperature range. The experimental results are consistent with the formation of Si nanoparticles produced by He segregation, which is responsible for exciton localization, and H passivation of the nonradiative recombination centers.
Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67(1995), pp. 3447-3450.
| Data di pubblicazione: | 1995 |
| Titolo: | Visible photoluminescence from He‐implanted silicon |
| Autore/i: | D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1063/1.115275 |
| Rivista: | |
| Volume: | 67 |
| Pagina iniziale: | 3447 |
| Pagina finale: | 3450 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1995TH28700026 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029635761 |
| Citazione: | Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67(1995), pp. 3447-3450. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/744038
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