Visible photoluminescence has been observed at cryogenic temperatures from crystalline Si bombarded with He and exposed to H either as plasma or gas in the 250-450 degrees C temperature range. The experimental results are consistent with the formation of Si nanoparticles produced by He segregation, which is responsible for exciton localization, and H passivation of the nonradiative recombination centers.
Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67:(1995), pp. 3447-3450. [10.1063/1.115275]
Data di pubblicazione: | 1995 | |
Titolo: | Visible photoluminescence from He‐implanted silicon | |
Autore/i: | D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1063/1.115275 | |
Rivista: | ||
Volume: | 67 | |
Pagina iniziale: | 3447 | |
Pagina finale: | 3450 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1995TH28700026 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029635761 | |
Citazione: | Visible photoluminescence from He‐implanted silicon / D., Bisero; Corni, Federico; Nobili, Carlo Emanuele; Tonini, Rita; Ottaviani, Giampiero; C., Mazzoleni; L., Pavesi. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 67:(1995), pp. 3447-3450. [10.1063/1.115275] | |
Tipologia | Articolo su rivista |
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