Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs

Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni

doi:10.1109/IRPS45951.2020.9128816

In this paper, we present simulation results that reproduce stress and recovery experiments in Carbon-doped power GaN MOS-HEMTs and explain the associated R ON increase and decrease as the result of the emission, redistribution and re-trapping of holes within the Carbon-doped buffer. The proposed model can straightforwardly clarify the beneficial impact of the recently proposed p-type drain contact on R ON degradation as being a consequence of enhanced hole trapping and reduced negative trapped charge within the buffer during stress.

Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni. - (2020), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Dallas, TX (USA) nel 28 April-30 May 2020.

Data di pubblicazione:	2020
Data di prima pubblicazione:	30-giu-2020
Titolo:	Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autore/i:	Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni
Autore/i UNIMORE:	ZAGNI, NICOLO' CHINI, Alessandro PUGLISI, Francesco Maria PAVAN, Paolo Meneghini, Matteo Meneghesso, Gaudenzio ZANONI, Enrico VERZELLESI, Giovanni mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9128816
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-85088388809
Nome del convegno:	2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Luogo del convegno:	Dallas, TX (USA)
Data del convegno:	28 April-30 May 2020
Pagina iniziale:	1
Pagina finale:	5
Citazione:	Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni. - (2020), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Dallas, TX (USA) nel 28 April-30 May 2020.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1204933

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