In this paper, we present simulation results that reproduce stress and recovery experiments in Carbon-doped power GaN MOS-HEMTs and explain the associated R ON increase and decrease as the result of the emission, redistribution and re-trapping of holes within the Carbon-doped buffer. The proposed model can straightforwardly clarify the beneficial impact of the recently proposed p-type drain contact on R ON degradation as being a consequence of enhanced hole trapping and reduced negative trapped charge within the buffer during stress.
Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni. - (2020), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Dallas, TX (USA) nel 28 April-30 May 2020.
Data di pubblicazione: | 2020 |
Data di prima pubblicazione: | 30-giu-2020 |
Titolo: | Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs |
Autore/i: | Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9128816 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85088388809 |
Nome del convegno: | 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
Luogo del convegno: | Dallas, TX (USA) |
Data del convegno: | 28 April-30 May 2020 |
Pagina iniziale: | 1 |
Pagina finale: | 5 |
Citazione: | Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs / Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni. - (2020), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Dallas, TX (USA) nel 28 April-30 May 2020. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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