ZANONI, Enrico

ZANONI, Enrico  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Characterization of CMOS Structures (O.6 urn process) Submitted to HBM and COM ESD Stress Tests 1-gen-1997 Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Colombo, P.; Brambilla, M.; Annunziata, R.; Pavan, P.
Deep defects in InGaN LEDs: modeling the impact on the electrical characteristics 1-gen-2022 Roccato, N.; Piva, F.; De Santi, C.; Brescancin, R.; Mukherjee, K.; Buffolo, M.; Haller, C.; Carlin, J. -F.; Grandjean, N.; Vallone, M.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-based LEDs 1-gen-2015 Mandurrino, M.; Verzellesi, G.; Goano, M.; Dominici, S.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Defects in III-N LEDs: experimental identification and impact on electro-optical characteristics 1-gen-2022 Buffolo, M.; Roccato, N.; Piva, F.; De Santi, C.; Brescancin, R.; Casu, C.; Caria, A.; Mukherjee, K.; Haller, C.; Carlin, J. F.; Grandjean, N.; Vallone, M.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Mosca, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Explanation of current crowding phenomena induced by impact ionization in advanced Si bipolar transistors by means of electrical measurements and light emission microscopy 1-gen-1993 Pavan, P.; Vendrame, L.; Bigliardi, S.; Marty, A.; Chantre, A.; Zanoni, E.
Impact ionization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs 1-gen-1993 Di Carlo, A.; Lugli, P.; Pavan, P.; Zanoni, E.; Malik, R.
Measurements of avalanche effects and light emission in advanced Si and SiGe bipolar transistors 1-gen-1993 Zanoni, E.; Bigliardi, S.; Pavan, P.; Pisoni, P.; Canali, C.