EnglishIonization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs are theoretically and experimentally investigated. The measured multiplication factor correlates well to the results of a Monte Carlo simulation of the device, which also provides general microscopic details of the pre-avalanche regime, and evidences the role of dead-space effects.
Impact ionization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs / Di Carlo, A.; Lugli, P.; Pavan, P.; Zanoni, E.; Malik, R.. - (1993), pp. 135-138. ((Intervento presentato al convegno 22nd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1992 tenutosi a bel nel 1992.
| Data di pubblicazione: | 1993 | |
| Titolo: | Impact ionization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs | |
| Autore/i: | Di Carlo, A.; Lugli, P.; Pavan, P.; Zanoni, E.; Malik, R. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84926421911 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1992KA73100028 | |
| Nome del convegno: | 22nd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1992 | |
| Luogo del convegno: | bel | |
| Data del convegno: | 1992 | |
| Serie: | PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE | |
| Pagina iniziale: | 135 | |
| Pagina finale: | 138 | |
| Citazione: | Impact ionization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs / Di Carlo, A.; Lugli, P.; Pavan, P.; Zanoni, E.; Malik, R.. - (1993), pp. 135-138. ((Intervento presentato al convegno 22nd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1992 tenutosi a bel nel 1992. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1248302
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