EnglishThis paper presents statistical characterization of Random Telegraph Noise (RTN) in hafnium-oxide-based Resistive Random Access Memories (RRAMs) in High Resistive State (HRS). Complex RTN signals are analyzed exploiting a Factorial Hidden Markov Model (FHMM) approach, allowing to derive the statistical properties of traps responsible of the multi-level RTN measured in these devices. Noise characteristics in different reset conditions are explored to prove the existence of a direct relation between the reset voltage, the volume of the dielectric barrier created during the reset operation and the number of active traps contributing to the RTN.
| Data di pubblicazione: | 2013 |
| Titolo: | Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS |
| Autore/i: | F. M. Puglisi; P. Pavan; A. Padovani; L. Larcher |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ESSDERC.2013.6818845 |
| Nome del convegno: | European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) |
| Luogo del convegno: | Bucharest, Romania |
| Data del convegno: | September 16-20 |
| Citazione: | Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS / F. M. Puglisi; P. Pavan; A. Padovani; L. Larcher. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 166-169. ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) tenutosi a Bucharest, Romania nel September 16-20. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/975902
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