Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS

Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca

doi:10.1109/ESSDERC.2013.6818845

This paper presents statistical characterization of Random Telegraph Noise (RTN) in hafnium-oxide-based Resistive Random Access Memories (RRAMs) in High Resistive State (HRS). Complex RTN signals are analyzed exploiting a Factorial Hidden Markov Model (FHMM) approach, allowing to derive the statistical properties of traps responsible of the multi-level RTN measured in these devices. Noise characteristics in different reset conditions are explored to prove the existence of a direct relation between the reset voltage, the volume of the dielectric barrier created during the reset operation and the number of active traps contributing to the RTN.

Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 166-169. ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) tenutosi a Bucharest, Romania nel September 16-20 [10.1109/ESSDERC.2013.6818845].

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS
Autore/i:	Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca
Autore/i UNIMORE:	PUGLISI, Francesco Maria PAVAN, Paolo PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ESSDERC.2013.6818845
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84901370482
Codice identificativo ISI:	WOS:000342231600039
Nome del convegno:	European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Luogo del convegno:	Bucharest, Romania
Data del convegno:	September 16-20
Pagina iniziale:	166
Pagina finale:	169
Citazione:	Random Telegraph Noise analysis to investigate the properties of active traps of HfO2-Based RRAM in HRS / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 166-169. ((Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) tenutosi a Bucharest, Romania nel September 16-20 [10.1109/ESSDERC.2013.6818845].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/975902

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