A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory

Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca

doi:10.1109/ICICDT.2013.6563309

In this paper, a compact model of hafnium-oxide-based resistive random access memory (RRAM) cell is developed. The proposed model includes the effect of the temperature and cycle-to-cycle stochastic variations affecting the device operations. Simple I-V measurements are used to extract the model parameters. The model accurately reproduces the I-V curves of the switching cycles in different operating conditions.

A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 85-88. ((Intervento presentato al convegno International Conference on IC Design and Technology tenutosi a Pavia, Italy nel 29 - 31 May, 2013 [10.1109/ICICDT.2013.6563309].

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory
Autore/i:	Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca
Autore/i UNIMORE:	PUGLISI, Francesco Maria PAVAN, Paolo PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ICICDT.2013.6563309
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84883342733
Codice identificativo ISI:	WOS:000332028500022
Nome del convegno:	International Conference on IC Design and Technology
Luogo del convegno:	Pavia, Italy
Data del convegno:	29 - 31 May, 2013
Pagina iniziale:	85
Pagina finale:	88
Citazione:	A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 85-88. ((Intervento presentato al convegno International Conference on IC Design and Technology tenutosi a Pavia, Italy nel 29 - 31 May, 2013 [10.1109/ICICDT.2013.6563309].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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