In this paper, a compact model of hafnium-oxide-based resistive random access memory (RRAM) cell is developed. The proposed model includes the effect of the temperature and cycle-to-cycle stochastic variations affecting the device operations. Simple I-V measurements are used to extract the model parameters. The model accurately reproduces the I-V curves of the switching cycles in different operating conditions.
A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 85-88. ((Intervento presentato al convegno 2013 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2013 tenutosi a Pavia, Italy nel 29 - 31 May, 2013 [10.1109/ICICDT.2013.6563309].
Data di pubblicazione: | 2013 | |
Titolo: | A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory | |
Autore/i: | Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ICICDT.2013.6563309 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84883342733 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000332028500022 | |
Nome del convegno: | 2013 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2013 | |
Luogo del convegno: | Pavia, Italy | |
Data del convegno: | 29 - 31 May, 2013 | |
Pagina iniziale: | 85 | |
Pagina finale: | 88 | |
Citazione: | A Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 85-88. ((Intervento presentato al convegno 2013 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2013 tenutosi a Pavia, Italy nel 29 - 31 May, 2013 [10.1109/ICICDT.2013.6563309]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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