RTS Noise Characterization of HfOx RRAM in High Resistive State

Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Bersuker, G.

doi:10.1016/j.sse.2013.02.023

In this paper we analyze Random Telegraph Signal (RTS) noise cand Power Spectral Density (PSD) in hafnium-based RRAMs. RTS measured in HRS exhibits fast and slow multilevel switching events. RTS characteristics are examined through novel color-coded time-lag plots and Hidden Markov Model (HMM) time-series analyses. Results are validated by comparing simulated and experimental PSD. Noise is examined at different reset conditions to provide an insight into the conduction mechanisms in HRS. Higher reset voltages are found to result in greater RTS complexity due to a larger number of active traps as confirmed by PSD.

RTS Noise Characterization of HfOx RRAM in High Resistive State / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - ELETTRONICO. - 84(2013), pp. 160-166. [10.1016/j.sse.2013.02.023]

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	RTS Noise Characterization of HfOx RRAM in High Resistive State
Autore/i:	Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker
Autore/i UNIMORE:	PUGLISI, Francesco Maria PAVAN, Paolo PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca G. Bersuker mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.023
Rivista:	SOLID-STATE ELECTRONICS
Volume:	84
Pagina iniziale:	160
Pagina finale:	166
Codice identificativo ISI:	WOS:000319547100023
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84879501489
Citazione:	RTS Noise Characterization of HfOx RRAM in High Resistive State / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - ELETTRONICO. - 84(2013), pp. 160-166. [10.1016/j.sse.2013.02.023]
Tipologia	Articolo su rivista

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