In this paper we investigate the physical mechanisms governing operations in HfOx RRAM devices. Forming set and reset processes are studied using a model including power dissipation associated with the charge transport, and the corresponding temperature increase, which assists ion diffusion.

Microscopic understanding and modeling of HfO2 RRAM device physics / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; G., Bersuker. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 20.1.1-20.1.4. (Intervento presentato al convegno 2012 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2012 tenutosi a San Francisco, CA, USA nel 10-12 Dicembre 2012) [10.1109/IEDM.2012.6479077].

Microscopic understanding and modeling of HfO2 RRAM device physics

LARCHER, Luca;PADOVANI, ANDREA;PIRROTTA, Onofrio;VANDELLI, LUCA;
2012

Abstract

In this paper we investigate the physical mechanisms governing operations in HfOx RRAM devices. Forming set and reset processes are studied using a model including power dissipation associated with the charge transport, and the corresponding temperature increase, which assists ion diffusion.
2012
2012 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2012
San Francisco, CA, USA
10-12 Dicembre 2012
20.1.1
20.1.4
Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; G., Bersuker
Microscopic understanding and modeling of HfO2 RRAM device physics / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; G., Bersuker. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 20.1.1-20.1.4. (Intervento presentato al convegno 2012 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2012 tenutosi a San Francisco, CA, USA nel 10-12 Dicembre 2012) [10.1109/IEDM.2012.6479077].
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