Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States

Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Bersuker, G.

doi:10.1109/ESSDERC.2012.6343386

In this paper we analyze Random Telegraph Signal (RTS) noise in hafnium-based RRAMs. RTS is measured in HRS, showing fast and slow multilevel switching events. RTS characteristics are examined through novel color-coded time-lag plots and Hidden Markov Model (HMM) time-series analyses. Noise is examined at different reset conditions to provide new insights on conduction mechanisms in HRS. Higher reset voltages result in an enhanced complexity in RTS due to a larger number of active traps

Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker. - STAMPA. - (2012), pp. 274-277. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC2012 tenutosi a Bordeaux (F) nel Sept. 17-21 [10.1109/ESSDERC.2012.6343386].

Data di pubblicazione:	2012
Titolo:	Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States
Autore/i:	Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker
Autore/i UNIMORE:	PUGLISI, Francesco Maria PAVAN, Paolo PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca G. Bersuker mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ESSDERC.2012.6343386
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84870613393
Nome del convegno:	ESSDERC2012
Luogo del convegno:	Bordeaux (F)
Data del convegno:	Sept. 17-21
Pagina iniziale:	274
Pagina finale:	277
Citazione:	Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker. - STAMPA. - (2012), pp. 274-277. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC2012 tenutosi a Bordeaux (F) nel Sept. 17-21 [10.1109/ESSDERC.2012.6343386].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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