EnglishIn this paper we analyze Random Telegraph Signal (RTS) noise in hafnium-based RRAMs. RTS is measured in HRS, showing fast and slow multilevel switching events. RTS characteristics are examined through novel color-coded time-lag plots and Hidden Markov Model (HMM) time-series analyses. Noise is examined at different reset conditions to provide new insights on conduction mechanisms in HRS. Higher reset voltages result in an enhanced complexity in RTS due to a larger number of active traps
| Data di pubblicazione: | 2012 |
| Titolo: | Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States |
| Autore/i: | Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ESSDERC.2012.6343386 |
| Nome del convegno: | ESSDERC2012 |
| Luogo del convegno: | Bordeaux (F) |
| Data del convegno: | Sept. 17-21 |
| Pagina iniziale: | 274 |
| Pagina finale: | 277 |
| Citazione: | Random Telegraph Signal Noise Properties of HfOx RRAM in High Resistive States / Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Bersuker. - STAMPA. - (2012), pp. 274-277. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC2012 tenutosi a Bordeaux (F) nel Sept. 17-21. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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