EnglishIn this work we apply a physical model based on charge transport and molecular mechanics/dynamics simulations to investigate the physical mechanisms governing the RRAM forming and switching operations. The proposed model identifies the major driving forces controlling conductive filament (CF) formation and changes during RRAM switching, thus providing a tool for investigation and optimization of RRAM devices.
Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices / Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Broglia; G., Ori; Montorsi, Monia; G., Bersuker; Pavan, Paolo. - ELETTRONICO. - 1(2011), pp. 17.5.1-17.5.4. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 5-7 December 2011.
| Data di pubblicazione: | 2011 | |
| Titolo: | Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices | |
| Autore/i: | Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Broglia; G., Ori; Montorsi, Monia; G., Bersuker; Pavan, Paolo | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84856978876 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000300015300106 | |
| Nome del convegno: | IEEE International Electron Devices Meeting | |
| Luogo del convegno: | Washington | |
| Data del convegno: | 5-7 December 2011 | |
| Volume: | 1 | |
| Pagina iniziale: | 17.5.1 | |
| Pagina finale: | 17.5.4 | |
| Citazione: | Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices / Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; G., Broglia; G., Ori; Montorsi, Monia; G., Bersuker; Pavan, Paolo. - ELETTRONICO. - 1(2011), pp. 17.5.1-17.5.4. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 5-7 December 2011. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices.pdf | Versione dell'editore (versione pubblicata) | Administrator Richiedi una copia | |
| Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO2 RRAM devices.pdf | Versione dell'editore (versione pubblicata) | Administrator Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
http://hdl.handle.net/11380/703863
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2022