Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM

Cagli, C.; Buckley, J.; Jousseaume, V.; Salaun, A.; Grampeix, H.; Nodin, J. F.; Feldis, H.; Persico, A.; Cluzel, J.; Lorenzi, P.; Massari, L.; Rao, R.; Irrera, F.; Cabout, T.; Aussenac, F.; Carabasse, C.; Coue, M.; Calka, P.; Martinez, E.; Perniola, L.; Blaise, P.; Fang, Z.; Y. H., Yu; Ghibaudo, G.; Deleruyelle, D.; Bocquet, M.; Muller, C.; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; Larcher, Luca; Reimbold, G.; de Salvo, B.

doi:10.1109/IEDM.2011.6131634

In this work, the impact of Ti electrodes on the electricalbehaviour of HfO2-based RRAM devices is conclusivelyclarified. To this aim, devices with Pt, TiN and Ti electrodeshave been fabricated. We first provide severalexperiments to clearly demonstrate that switching is driven bycreation-disruption of a conductive filament. Thus, the role ofTiN/Ti electrodes is explained and modeled based on thepresence of HfOx interfacial layer underneath the electrode. Inaddition, Ti is found responsible to activate bipolar switching.Moreover, it strongly reduces forming and switching voltageswith respect to Pt-Pt devices. Finally, it positively impacts onretention. To support and interpret our results we providephysico-chemical measurements, electrical characterization,ab-initio calculations and modeling.

Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; P., Lorenzi; L., Massari; R., Rao; F., Irrera; T., Cabout; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; Larcher, Luca; G., Reimbold; B., de Salvo. - ELETTRONICO. - 1(2011), pp. 28.7.1-28.7.4. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 5-7 December 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131634].

Data di pubblicazione:	2011
Titolo:	Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM
Autore/i:	C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; P., Lorenzi; L., Massari; R., Rao; F., Irrera; T., Cabout; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; Larcher, Luca; G., Reimbold; B., de Salvo
Autore/i UNIMORE:	C. Cagli J. Buckley V. Jousseaume A. Salaun H. Grampeix J. F. Nodin H. Feldis A. Persico J. Cluzel P. Lorenzi L. Massari R. Rao F. Irrera T. Cabout F. Aussenac C. Carabasse M. Coue P. Calka E. Martinez L. Perniola P. Blaise Z. Fang Y. H. Yu G. Ghibaudo D. Deleruyelle M. Bocquet C. Muller PADOVANI, ANDREA PIRROTTA, Onofrio VANDELLI, LUCA LARCHER, Luca G. Reimbold B. de Salvo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131634
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84856997746
Codice identificativo ISI:	WOS:000300015300166
Nome del convegno:	IEEE International Electron Devices Meeting
Luogo del convegno:	Washington
Data del convegno:	5-7 December 2011
Volume:	1
Pagina iniziale:	28.7.1
Pagina finale:	28.7.4
Citazione:	Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; P., Lorenzi; L., Massari; R., Rao; F., Irrera; T., Cabout; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; Padovani, Andrea; Pirrotta, Onofrio; Vandelli, Luca; Larcher, Luca; G., Reimbold; B., de Salvo. - ELETTRONICO. - 1(2011), pp. 28.7.1-28.7.4. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 5-7 December 2011 [10.1109/IEDM.2011.6131634].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Pubblicazioni consigliate

Loading suggested articles...

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/703862

Citazioni

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris