EnglishThe purpose of this work is to investigate the physics of electron/hole trapping/detrapping mechanisms in Al2O3. Combining I-V and C-V measurements with a physical model we derive the energy levels of electron/hole traps and the location of electron/hole charge. The influence of electron/hole alumina traps on TANOS operations and reliability is investigated.
Investigation of trapping/detrapping mechanisms in Al2O3 electron/hole traps and their influence on TANOS memory operations / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vincenzo della, Marca; Pavan, Paolo; Bertacchini, Alessandro. - STAMPA. - (2010), pp. 52-53. ((Intervento presentato al convegno 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Applications tenutosi a Hsinchu, Taiwan nel April 26-28, 2010 [10.1109/VTSA.2010.5488951].
| Data di pubblicazione: | 2010 | |
| Titolo: | Investigation of trapping/detrapping mechanisms in Al2O3 electron/hole traps and their influence on TANOS memory operations | |
| Autore/i: | Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vincenzo della, Marca; Pavan, Paolo; Bertacchini, Alessandro | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/VTSA.2010.5488951 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-77957918106 | |
| Nome del convegno: | 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Applications | |
| Luogo del convegno: | Hsinchu, Taiwan | |
| Data del convegno: | April 26-28, 2010 | |
| Pagina iniziale: | 52 | |
| Pagina finale: | 53 | |
| Citazione: | Investigation of trapping/detrapping mechanisms in Al2O3 electron/hole traps and their influence on TANOS memory operations / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vincenzo della, Marca; Pavan, Paolo; Bertacchini, Alessandro. - STAMPA. - (2010), pp. 52-53. ((Intervento presentato al convegno 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Applications tenutosi a Hsinchu, Taiwan nel April 26-28, 2010 [10.1109/VTSA.2010.5488951]. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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