Non disponibile

Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors / Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio. - STAMPA. - (1993), pp. 269-324. [10.1063/1.349391]

Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors

VERZELLESI, Giovanni;PAVAN, Paolo;CANALI, Claudio
1993

Abstract

Non disponibile
1993
Inglese
WOS:A1991GC09800077
Process and Device Modeling for Microelectronics
269
324
9780444899620
Elsevier Science Publishers B.V.
PAESI BASSI
Amsterdam
Impact ionization; bipolar junction transistor; BJT.
Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors / Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio. - STAMPA. - (1993), pp. 269-324. [10.1063/1.349391]
Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio
4
Contributo su VOLUME::Capitolo/Saggio
268
none
info:eu-repo/semantics/bookPart
Capitolo/Saggio
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/462672
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 1
social impact