A Unified Framework to Explain Random Telegraph Noise Complexity in MOSFETs and RRAMs / Vecchi, S.; Pavan, P.; Puglisi, F. M.. - 2023-March:(2023), pp. 1-6. (Intervento presentato al convegno 61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 tenutosi a Monterey, CA, USA nel 26-30 March 2023) [10.1109/IRPS48203.2023.10117832].

A Unified Framework to Explain Random Telegraph Noise Complexity in MOSFETs and RRAMs

Vecchi S.
;Pavan P.;Puglisi F. M.
2023
2023
61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023
Monterey, CA, USA
26-30 March 2023
WOS:001007431500063
2-s2.0-85160452171
2023-March
1
6
Vecchi, S.; Pavan, P.; Puglisi, F. M.
A Unified Framework to Explain Random Telegraph Noise Complexity in MOSFETs and RRAMs / Vecchi, S.; Pavan, P.; Puglisi, F. M.. - 2023-March:(2023), pp. 1-6. (Intervento presentato al convegno 61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 tenutosi a Monterey, CA, USA nel 26-30 March 2023) [10.1109/IRPS48203.2023.10117832].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1306366
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