Robust C-band MMIC Low Noise Amplifier using AlGaN/GaN HEMT Power Devices
2003 Xu, H.; Sanabria, C.; Chini, Alessandro; Keller, S.; Mishra, U. K.; York, R. A.
Transient Phenomena in GaAs and GaN Devices, including Electroluminescence and Emission Spectroscopy, for Future THz Applications
2006 Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT
2009 Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress
2009 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro
Design of field-plated InP-based HEMTs
2009 Saguatti, Davide; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M.
Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs
2009 Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro
Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs
2009 Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Trap analysis on GaN HEMT after DC accelerated tests
2009 Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Peroni, M.
Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques
2010 Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.
Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation
2010 Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; Di Lecce, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S.
Study of GaN HEMTs degradation by numerical simulations of scattering parameters
2010 Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
Inclusione e differenziazione
2016 Amodeo, Anna Lisa; Vezzali, Loris
NUOVE DIREZIONI DI RICERCA SUL CONTATTO INTERGRUPPI
2016 Vezzali, Loris
Contatto intergruppi e riduzione del pregiudizio: l’importanza della combinazione di strategie per il miglioramento delle relazioni intergruppi
2016 Trifiletti, Elena; Vezzali, Loris; Hewstone, Miles; Giovannini, Dino; Cortesi, Lisa
Essere genitori adottivi di diversa etnia: il “contatto esteso intragruppo”
2016 Ferrari, Laura; Vezzali, Loris; Ranieri, Sonia; Rosnati, Rosa
New insights into the late Miocene extent of the Ligurian nappe on the Adriatic side of the Northern Apennines, SE of the Sillaro Line, Italy
2013 Bettelli, Giuseppe; Panini, Filippo; Remitti, Francesca; Vannucchi, Paola
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices
2011 Zanandrea, A.; Rampazzo, F.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Ivo, P.; Wuerfl, J.; Meneghesso, G.
Impact of Hot Electrons on the Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2011 Rampazzo, F.; Stocco, A.; Silvestri, R.; Meneghini, M.; Ronchi, N.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Correlation between Drain Current Transient and Double-Pulse Measurements in AlGaN/GaN HEMT Trap Analysis
2012 Bisi, D.; Stocco, A.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Experimental Technique for Traps Spatial Localization in GaN HEMTs
2013 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Robust C-band MMIC Low Noise Amplifier using AlGaN/GaN HEMT Power Devices | 1-gen-2003 | Xu, H.; Sanabria, C.; Chini, Alessandro; Keller, S.; Mishra, U. K.; York, R. A. | |
| Transient Phenomena in GaAs and GaN Devices, including Electroluminescence and Emission Spectroscopy, for Future THz Applications | 1-gen-2006 | Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
| Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT | 1-gen-2009 | Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G. | |
| GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress | 1-gen-2009 | Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro | |
| Design of field-plated InP-based HEMTs | 1-gen-2009 | Saguatti, Davide; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M. | |
| Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2009 | Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro | |
| Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs | 1-gen-2009 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
| Trap analysis on GaN HEMT after DC accelerated tests | 1-gen-2009 | Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Peroni, M. | |
| Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques | 1-gen-2010 | Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G. | |
| Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation | 1-gen-2010 | Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; Di Lecce, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S. | |
| Study of GaN HEMTs degradation by numerical simulations of scattering parameters | 1-gen-2010 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro | |
| Inclusione e differenziazione | 1-gen-2016 | Amodeo, Anna Lisa; Vezzali, Loris | |
| NUOVE DIREZIONI DI RICERCA SUL CONTATTO INTERGRUPPI | 1-gen-2016 | Vezzali, Loris | |
| Contatto intergruppi e riduzione del pregiudizio: l’importanza della combinazione di strategie per il miglioramento delle relazioni intergruppi | 1-gen-2016 | Trifiletti, Elena; Vezzali, Loris; Hewstone, Miles; Giovannini, Dino; Cortesi, Lisa | |
| Essere genitori adottivi di diversa etnia: il “contatto esteso intragruppo” | 1-gen-2016 | Ferrari, Laura; Vezzali, Loris; Ranieri, Sonia; Rosnati, Rosa | |
| New insights into the late Miocene extent of the Ligurian nappe on the Adriatic side of the Northern Apennines, SE of the Sillaro Line, Italy | 1-gen-2013 | Bettelli, Giuseppe; Panini, Filippo; Remitti, Francesca; Vannucchi, Paola | |
| DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices | 1-gen-2011 | Zanandrea, A.; Rampazzo, F.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Ivo, P.; Wuerfl, J.; Meneghesso, G. | |
| Impact of Hot Electrons on the Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors | 1-gen-2011 | Rampazzo, F.; Stocco, A.; Silvestri, R.; Meneghini, M.; Ronchi, N.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
| Correlation between Drain Current Transient and Double-Pulse Measurements in AlGaN/GaN HEMT Trap Analysis | 1-gen-2012 | Bisi, D.; Stocco, A.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
| Experimental Technique for Traps Spatial Localization in GaN HEMTs | 1-gen-2013 | Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
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Tipologia
- Atti di CONVEGNO4989
Data di pubblicazione
- 2020 - 2026766
- 2010 - 20191962
- 2000 - 20091802
- 1990 - 1999382
- 1980 - 198971
- 1978 - 19795
Editore
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- .75
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Rivista
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Serie
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- ACTA ITALUS HORTUS5
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