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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Fabrication of single or multiple gate field plates 30-set-2016 Chini, Alessandro; Kumar Mishra, Umesh; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Fabrication of single or multiple gate field plates 17-mar-2005 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
Hemt transistor including field plate regions and manufacturing process thereof 9-dic-2020 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
Hemt transistor including field plate regions and manufacturing process thereof 2-dic-2020 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
HEMT transistor of the normally off type including a trench containing a gate region and forming at least one step, and corresponding manufacturing method 19-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
HEMT transistor of the normally off type including a trench containing a gate region and forming at least one step, and corresponding manufacturing method 20-nov-2019 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
HEMT transistor with high stress resilience during off state and manufacturing method thereof 8-giu-2018 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
Hemt-transistor des normalerweise ausgeschalteten typs mit einem graben, der einen gatebereich enthält und mindestens eine stufe bildet, sowie entsprechendes herstellungsverfahren 25-mag-2016 Iucolano, Ferdinando; Patti, Alfonso; Chini, Alessandro
High electron mobility transistor and manufacturing method thereof 8-giu-2018 Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro
シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造 8-mar-2007 Chini, Alessandro; Mishra, Umesh K.; Parikh, Primit; Wu, Yifeng
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Tipologia
  • ALTRO 31
  • ALTRO::Brevetto 31
Data di pubblicazione
  • 2010 - 2020 24
  • 2004 - 2009 7
Keyword
  • HEMT 29
  • Power FET 29
  • WBG Semiconductors 28
Lingua
  • eng 18
  • chi 10
  • ger 1
  • jpn 1
  • kor 1
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