BERTOCCHI, MATTEO

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BERTOCCHI, MATTEO

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	Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)
1	Cross-correlation of electrical measurements via physics-based device simulations: Linking electrical and structural characteristics	2015	Padovani, A.; Larcher, L.; Vandelli, L.; Bertocchi, M.; Cavicchioli, R.; Veksler, D.; Bersuker, G.
2	Defects and strain enhancements of second-harmonic generation in Si/Ge superlattices	2014	Bertocchi, Matteo; E., Luppi; Degoli, Elena; V., Véniard; Ossicini, Stefano
3	Large crystal local-field effects in second-harmonic generation of a Si/CaF2 interface:An ab initio study	2012	Bertocchi, Matteo; E., Luppi; Degoli, Elena; V., Véniard; Ossicini, Stefano
4	A microscopic physical description of RTN current fluctuations in HfOx RRAM	2015	Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Bertocchi, Matteo; Larcher, Luca
5	Second Harmonic Generation in Silicon Based Heterostructures: The Role of Strain and Symmetry	2017	Bertocchi, Matteo; Degoli, Elena; Véniard, V; Luppi, E; Ossicini, Stefano
6	Second-harmonic Generation Spectroscopy from Time-dependent Density-functional Theory	2011	E., Luppi; H., Huebener; Bertocchi, Matteo; Degoli, Elena; Ossicini, Stefano; V., Veniard
7	Strain-designed strategy to induce and enhance second-harmonic generation in centrosymmetric and noncentrosymmetric materials	2015	Luppi, Eleonora; Degoli, Elena; Bertocchi, Matteo; Ossicini, Stefano; Véniard, Valérie
8	Work function bowing in Si1−xGex heterostructures: Ab initio results	2016	Amato, Michele; Bertocchi, Matteo; Ossicini, Stefano
9	Work Function Measurement of Silicon Germanium Heterostructures Combining Kelvin Force Microscopy and X-ray Photoelectron Emission Microscopy	2015	Pouch, Sylvain; Amato, Michele; Bertocchi, Matteo; Ossicini, Stefano; Chevalier, Nicolas; Melin, Thierry; Hartmann, Jean Michel; Renault, Olivier; Delaye, Vincent; Mariolle, Denis; Borowik, Lukasz