FAQIR, Mustapha

FAQIR, Mustapha  

Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE (attivo dal 16/07/2001 al 29/06/2012)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2007 Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P.
Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2007 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; F., Danesin; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; A., Cavallini; A., Castaldini; N., Labat; A., Touboul; C., Dua
Effects of Surface and Buffer Traps in Passivated AlGaN-GaN HEMT 1-gen-2008 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Danesin, F.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Labat, N.; Touboul, A.; Dua, C.
Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2008 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; F., Danesin; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; N., Labat; A., Touboul; C., Dua
False surface-trap signatures induced by buffer traps in AlGaN-GaN HEMTs 1-gen-2009 Verzellesi, Giovanni; Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Danesin, F.; Zanon, F.; Rampazzo, F.; Marino, F. A.; Cavallini, A.; Castaldini, A.
Interpretation of buffer-trap effects in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2007 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; A., Cavallini; A., Castaldini; F., Danesin; G., Meneghesso; E., Zanoni
Investigation of High-Electric-Field Degradation Effects in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2008 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; E., Zanoni; Fantini, Fausto
Mechanisms of RF Current Collapse in AlGaN–GaN High Electron Mobility Transistors 1-gen-2008 Faqir, Mustapha; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Danesin, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Dua, C.
Physical investigation of high-field degradation mechanisms in GaN/AlGaN/GaN hemts 1-gen-2006 Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Bernat, J.; Kordos, P.
Study of high-field degradation phenomena in GaN-capped AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2006 Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Bernat, J.; Kordos, P.