Connecting the physical and electrical properties of Hafnia-based RRAM

Butcher, B.; Bersuker, G.; Gilmer, D.; Kirsch, P.; Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vandelli, Luca; Geer, R.; Kirsch, P. D.

Simulations of the dynamic physical processes involved in HfO2-based resistive-memory-operations are used to identify the dielectric structural properties responsible for device performance, while revealing that repeatable switching and higher HRS resistances are enabled by the oxide substoichiometric composition. These simulations support a conductive-filament-formation physical model which is resulted from metal-oxygen bond breakage and subsequent oxygen ion out-diffusion, thus leaving behind an oxygen vacancy rich region. The subsequent reset process is also shown to be controlled by re-oxidation of the filament tip.

Connecting the physical and electrical properties of Hafnia-based RRAM / B., Butcher; G., Bersuker; D., Gilmer; P., Kirsch; Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vandelli, Luca; R., Geer; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 22.2.1-22.2.4. ((Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 9-11 Dicembre 2013.

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	Connecting the physical and electrical properties of Hafnia-based RRAM
Autore/i:	B., Butcher; G., Bersuker; D., Gilmer; P., Kirsch; Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vandelli, Luca; R., Geer; P. D., Kirsch
Autore/i UNIMORE:	B. Butcher G. Bersuker D. Gilmer P. Kirsch LARCHER, Luca PADOVANI, ANDREA VANDELLI, LUCA R. Geer P. D. Kirsch mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84894379000
Codice identificativo ISI:	WOS:000346509500145
Nome del convegno:	2013 IEEE International Electron Devices Meeting
Luogo del convegno:	Washington
Data del convegno:	9-11 Dicembre 2013
Pagina iniziale:	22.2.1
Pagina finale:	22.2.4
Citazione:	Connecting the physical and electrical properties of Hafnia-based RRAM / B., Butcher; G., Bersuker; D., Gilmer; P., Kirsch; Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Vandelli, Luca; R., Geer; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 22.2.1-22.2.4. ((Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Electron Devices Meeting tenutosi a Washington nel 9-11 Dicembre 2013.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/990509

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