Temperature impact (up to 200 °C) on performance and reliability of HfO2-based RRAMs

Cabout, T.; Perniola, L.; Jousseaume, V.; Grampeix, H.; Nodin, J. F.; Toffoli, A.; Jalaguier, E.; Vianello, E.; Molas, G.; Reimbold, G.; De Salvo, B.; Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Diokh, T.; Candelier, P.; Guillermet, M.; Bocquet, M.; Muller, C.

doi:10.1109/IMW.2013.6582112

This paper provides an overview of the temperature impact (up to 200 °C) on the electrical behavior of oxide-based RRAM, during forming, low-field resistance reading, SET/RESET, disturb, data retention and endurance. . HfO2-RRAM devices (in a 1T1R configuration) integrated in an advanced 65 nm technology are studied for this aim. We show that forming operation is strongly activated in temperature (i.e. -0.5 V per hundred Celsius degree), being much less for SET and RESET voltages (i.e. < -0.05 V per hundred Celsius degree); disturb of HRS at fixed voltage showed to be independent of temperature; endurance up to 3.106 cycles, with optimized set of stress parameters showed no significant variation; data retention at 150 °C up to 68 days showed stable programming window, after different initial programming algorithms.

Temperature impact (up to 200 °C) on performance and reliability of HfO2-based RRAMs / T., Cabout; L., Perniola; V., Jousseaume; H., Grampeix; J. F., Nodin; A., Toffoli; E., Jalaguier; E., Vianello; G., Molas; G., Reimbold; B., De Salvo; Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; T., Diokh; P., Candelier; M., Guillermet; M., Bocquet; C., Muller. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 116-119. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Memory Workshop tenutosi a Monterey, CA, USA nel 26-29 May 2013 [10.1109/IMW.2013.6582112].

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	Temperature impact (up to 200 °C) on performance and reliability of HfO2-based RRAMs
Autore/i:	T., Cabout; L., Perniola; V., Jousseaume; H., Grampeix; J. F., Nodin; A., Toffoli; E., Jalaguier; E., Vianello; G., Molas; G., Reimbold; B., De Salvo; Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; T., Diokh; P., Candelier; M., Guillermet; M., Bocquet; C., Muller
Autore/i UNIMORE:	T. Cabout L. Perniola V. Jousseaume H. Grampeix J. F. Nodin A. Toffoli E. Jalaguier E. Vianello G. Molas G. Reimbold B. De Salvo PIRROTTA, Onofrio PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca T. Diokh P. Candelier M. Guillermet M. Bocquet C. Muller mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IMW.2013.6582112
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84883659748
Codice identificativo ISI:	WOS:000327312700030
Nome del convegno:	IEEE International Memory Workshop
Luogo del convegno:	Monterey, CA, USA
Data del convegno:	26-29 May 2013
Pagina iniziale:	116
Pagina finale:	119
Citazione:	Temperature impact (up to 200 °C) on performance and reliability of HfO2-based RRAMs / T., Cabout; L., Perniola; V., Jousseaume; H., Grampeix; J. F., Nodin; A., Toffoli; E., Jalaguier; E., Vianello; G., Molas; G., Reimbold; B., De Salvo; Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; T., Diokh; P., Candelier; M., Guillermet; M., Bocquet; C., Muller. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 116-119. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Memory Workshop tenutosi a Monterey, CA, USA nel 26-29 May 2013 [10.1109/IMW.2013.6582112].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/924093

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