PAS is used to study Si-rich SiO2 samples prepared by implantation of Si (160 keV) ions at doses in the range 3e16-3e17 and consequent thermal annealing at high temperature (up to 1100 oC)....

Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation / G., G., B., N., P., A.K., K. G., L., L. F., D.M., Corni, F., Tonini, R.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 70:(1997), pp. 496-498. [10.1063/1.118315]

Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation

CORNI, Federico;TONINI, Rita
1997

Abstract

PAS is used to study Si-rich SiO2 samples prepared by implantation of Si (160 keV) ions at doses in the range 3e16-3e17 and consequent thermal annealing at high temperature (up to 1100 oC)....
1997
Inglese
70
496
498
WOS:A1997WE45700032
2-s2.0-0012945254
Positro annihilation spectroscopy; SiO2; ion implantatin
none
info:eu-repo/semantics/article
Contributo su RIVISTA::Articolo su rivista
262
Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation / G., G., B., N., P., A.K., K. G., L., L. F., D.M., Corni, F., Tonini, R.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 70:(1997), pp. 496-498. [10.1063/1.118315]
G., Ghislotti; B., Nielsen; P., Asoka Kumar; K. G., Lynn; L. F., Di Mauro; Corni, Federico; Tonini, Rita
7
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/744037
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 13
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 13
social impact