PAS is used to study Si-rich SiO2 samples prepared by implantation of Si (160 keV) ions at doses in the range 3e16-3e17 and consequent thermal annealing at high temperature (up to 1100 oC)....
Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation / G., Ghislotti; B., Nielsen; P., Asoka Kumar; K. G., Lynn; L. F., Di Mauro; Corni, Federico; Tonini, Rita. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 70:(1997), pp. 496-498. [10.1063/1.118315]
Positron annihilation studies of silicon-rich SiO2 produced by high dose ion implantation
CORNI, Federico;TONINI, Rita
1997
Abstract
PAS is used to study Si-rich SiO2 samples prepared by implantation of Si (160 keV) ions at doses in the range 3e16-3e17 and consequent thermal annealing at high temperature (up to 1100 oC)....
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
