Advanced high-k materials and electrical analysis for memories: the role of SiO2-high-k dielectric intermixing

Morassi, Luca; Larcher, Luca; Pantisano, L.; Padovani, Andrea; Degreave, R.; Zahid, M. B.; O'Sullivan, B. J.

This paper presents an original approach for material studies for memory devices where the degree of intermixing between the high-k and interfacial SiO2 is explicitly quantified experimentally. Using calibrated leakage simulation the importance of intermixing is verified independently together with the conduction mechanism. The implication for NVM reliability are profound and will be discussed toward retention mechanisms and used to optimize retention margins for NVM memories.

Advanced high-k materials and electrical analysis for memories: the role of SiO2-high-k dielectric intermixing / Morassi, Luca; Larcher, Luca; L., Pantisano; Padovani, Andrea; R., Degreave; M. B., Zahid; B. J., O'Sullivan. - STAMPA. - (2009), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno 41th International Conference on Solid State Devices and Materials tenutosi a Sendai, Japan nel 6-9 October, 2009.

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Advanced high-k materials and electrical analysis for memories: the role of SiO2-high-k dielectric intermixing
Autore/i:	Morassi, Luca; Larcher, Luca; L., Pantisano; Padovani, Andrea; R., Degreave; M. B., Zahid; B. J., O'Sullivan
Autore/i UNIMORE:	MORASSI, LUCA LARCHER, Luca L. Pantisano PADOVANI, ANDREA R. Degreave M. B. Zahid B. J. O'Sullivan mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	41th International Conference on Solid State Devices and Materials
Luogo del convegno:	Sendai, Japan
Data del convegno:	6-9 October, 2009
Pagina iniziale:	1
Pagina finale:	2
Citazione:	Advanced high-k materials and electrical analysis for memories: the role of SiO2-high-k dielectric intermixing / Morassi, Luca; Larcher, Luca; L., Pantisano; Padovani, Andrea; R., Degreave; M. B., Zahid; B. J., O'Sullivan. - STAMPA. - (2009), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno 41th International Conference on Solid State Devices and Materials tenutosi a Sendai, Japan nel 6-9 October, 2009.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/655654

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