EnglishThe accuracy of the split-CV mobility extraction method is analyzed in implant-free, buried-channel InGaAs MOS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric through a “simulated experiment” procedure. The different error sources affecting the method accuracy are pointed out. As a result of these errors, the split-CV mobility can appreciably underestimate the actual channel mobility under on-state conditions.
Errors affecting split-CV mobility measurements in InGaAs MOS-HEMTs / Morassi, Luca; Verzellesi, Giovanni; Larcher, Luca; H., Zhao; J. C., Lee. - STAMPA. - (2011), pp. 327-329. ((Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials tenutosi a Berlin (Germany) nel May 2011.
| Data di pubblicazione: | 2011 |
| Titolo: | Errors affecting split-CV mobility measurements in InGaAs MOS-HEMTs |
| Autore/i: | Morassi, Luca; Verzellesi, Giovanni; Larcher, Luca; H., Zhao; J. C., Lee |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials |
| Luogo del convegno: | Berlin (Germany) |
| Data del convegno: | May 2011 |
| Pagina iniziale: | 327 |
| Pagina finale: | 329 |
| Citazione: | Errors affecting split-CV mobility measurements in InGaAs MOS-HEMTs / Morassi, Luca; Verzellesi, Giovanni; Larcher, Luca; H., Zhao; J. C., Lee. - STAMPA. - (2011), pp. 327-329. ((Intervento presentato al convegno 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials tenutosi a Berlin (Germany) nel May 2011. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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