Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties

Bersuker, G.; Gilmer, D. C.; Veksler, D.; Yum, J.; Park, H.; Lian, S.; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; McKenna, K.; Shluger, A.; Iglesias, V.; Porti, M.; Nafría, M.; Taylor, W.; Kirsch, P. D.; Jammy, R.

By combining electrical, physical, and transport/atomistic modeling results, this study identifies critical conductive filament features controlling TiN/HfO2/TiN resistive memory operations. The forming process is found to define the filament geometry, which in turn determines the temperature profile and, consequently, the switching characteristics. The findings point to the critical importance of controlling filament dimensions during the forming process (polarity, max current/voltage, etc.).

Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties / G., Bersuker; D. C., Gilmer; D., Veksler; J., Yum; H., Park; S., Lian; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; K., Mckenna; A., Shluger; V., Iglesias; M., Porti; M., Nafría; W., Taylor; P. D., Kirsch; R., Jammy. - STAMPA. - (2010), pp. 19.6.1-19.6.4. ((Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting tenutosi a San Francisco (CA USA) nel 6-8 Dec. 2010.

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties
Autore/i:	G., Bersuker; D. C., Gilmer; D., Veksler; J., Yum; H., Park; S., Lian; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; K., Mckenna; A., Shluger; V., Iglesias; M., Porti; M., Nafría; W., Taylor; P. D., Kirsch; R., Jammy
Autore/i UNIMORE:	G. Bersuker D. C. Gilmer D. Veksler J. Yum H. Park S. Lian VANDELLI, LUCA PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca K. McKenna A. Shluger V. Iglesias M. Porti M. Nafría W. Taylor P. D. Kirsch R. Jammy mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-79951843778
Codice identificativo ISI:	WOS:000287997300118
Nome del convegno:	International Electron Device Meeting
Luogo del convegno:	San Francisco (CA USA)
Data del convegno:	6-8 Dec. 2010
Pagina iniziale:	19.6.1
Pagina finale:	19.6.4
Citazione:	Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties / G., Bersuker; D. C., Gilmer; D., Veksler; J., Yum; H., Park; S., Lian; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; K., Mckenna; A., Shluger; V., Iglesias; M., Porti; M., Nafría; W., Taylor; P. D., Kirsch; R., Jammy. - STAMPA. - (2010), pp. 19.6.1-19.6.4. ((Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting tenutosi a San Francisco (CA USA) nel 6-8 Dec. 2010.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/648234

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