Experimental assessment of electrons and holes in erase transient of TANOS and TANVaS memories

Suhane, A.; Arreghini, A.; Van den bosch, G.; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; Breuil, L.; Larcher, Luca; De Meyer, K.; Van Houdt, J.

doi:10.1109/LED.2010.2055824

We present carrier separation experiments based on direct charge measurement to assess the contributions of electronsand holes to the erase transient of TANOS-like nonvolatilememories. The role of the different carrier species is analyzed asa function of the erase voltage and of the charge configurationat the initial programmed state. We extend the analysis toBand Engineered tunneling barriers, demonstrating that theperformance improvement in these devices lays more in anenhancement of the hole current rather than of the electron one.

Experimental assessment of electrons and holes in erase transient of TANOS and TANVaS memories / A., Suhane; A., Arreghini; G., Van den bosch; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; L., Breuil; Larcher, Luca; K., De Meyer; J., Van Houdt. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - STAMPA. - 31(2010), pp. 936-938.

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Experimental assessment of electrons and holes in erase transient of TANOS and TANVaS memories
Autore/i:	A., Suhane; A., Arreghini; G., Van den bosch; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; L., Breuil; Larcher, Luca; K., De Meyer; J., Van Houdt
Autore/i UNIMORE:	A. Suhane A. Arreghini G. Van den bosch VANDELLI, LUCA PADOVANI, ANDREA L. Breuil LARCHER, Luca K. De Meyer J. Van Houdt mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2010.2055824
Rivista:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Volume:	31
Pagina iniziale:	936
Pagina finale:	938
Codice identificativo ISI:	WOS:000283185500012
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-77956171199
Citazione:	Experimental assessment of electrons and holes in erase transient of TANOS and TANVaS memories / A., Suhane; A., Arreghini; G., Van den bosch; Vandelli, Luca; Padovani, Andrea; L., Breuil; Larcher, Luca; K., De Meyer; J., Van Houdt. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - STAMPA. - 31(2010), pp. 936-938.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/643083

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