Temperature Effects on Metal-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon Memory Operations

Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Heh, D.; Bersuker, G.; Dellamarca, V.; Pavan, Paolo

doi:10.1063/1.3446835

We present a detailed investigation of temperature effects on the operation of TaN/Al2O3 / Si3N4 /SiO2 / Si (TANOS) memory devices. We show that not only retention but also program and erase operations are affected significantly by temperature. Using a large set of experimental data and simulations on a variety of TANOS stacks, we show that the temperature dependence of TANOS program and erase operations can be explained by accounting for that the alumina dielectric constant increases by 20%–25% over a 125 K temperature range.

Temperature Effects on Metal-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon Memory Operations / Padovani, Andrea; Larcher, Luca; D., Heh; G., Bersuker; V., Dellamarca; Pavan, Paolo. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - ELETTRONICO. - 96(2010), pp. 223505-1-223505-3. [10.1063/1.3446835]

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Temperature Effects on Metal-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon Memory Operations
Autore/i:	Padovani, Andrea; Larcher, Luca; D., Heh; G., Bersuker; V., Dellamarca; Pavan, Paolo
Autore/i UNIMORE:	PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca D. Heh G. Bersuker V. Dellamarca PAVAN, Paolo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1063/1.3446835
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Volume:	96
Pagina iniziale:	223505-1
Pagina finale:	223505-3
Codice identificativo ISI:	WOS:000278404800067
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-77953583637
Citazione:	Temperature Effects on Metal-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon Memory Operations / Padovani, Andrea; Larcher, Luca; D., Heh; G., Bersuker; V., Dellamarca; Pavan, Paolo. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - ELETTRONICO. - 96(2010), pp. 223505-1-223505-3. [10.1063/1.3446835]
Tipologia	Articolo su rivista

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