Feasibility of SIO2/Al2O3 tunnel dielectric for future Flash memories generations

Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Verma, S.; Pavan, Paolo; Majhi, P.; Kapur, P.; Parat, K.; Bersuker, G.; Saraswat, K.

In this paper, we investigate the feasibility of SiO2/Al2O3 stack tunnel dielectric for future Flash memory generations using statistical leakage current simulations. We show that the statistical Monte Carlo (MC) simulator we employed reproduces accurately leakage currents measured on SiO2/Al2O3 dielectric capacitors. Exploiting its statistical capabilities, we calculate leakage current distributions in Flash memory retention conditions. We show that the high defectiveness of AI2O3 stacks strongly reduces the potential improvement of Flash retention due to the introduction of AI2O3 tunnel dielectric.

Feasibility of SIO2/Al2O3 tunnel dielectric for future Flash memories generations / Padovani, Andrea; Larcher, Luca; S., Verma; Pavan, Paolo; P., Majhi; P., Kapur; K., Parat; G., Bersuker; K., Saraswat. - STAMPA. - (2008), pp. 111-114. ((Intervento presentato al convegno 9th Ultimate Integration on Silicon Conference (IEEE ULIS) tenutosi a Udine, Italy nel 12-14 March 2008.

Data di pubblicazione:	2008
Titolo:	Feasibility of SIO2/Al2O3 tunnel dielectric for future Flash memories generations
Autore/i:	Padovani, Andrea; Larcher, Luca; S., Verma; Pavan, Paolo; P., Majhi; P., Kapur; K., Parat; G., Bersuker; K., Saraswat
Autore/i UNIMORE:	PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca S. Verma PAVAN, Paolo P. Majhi P. Kapur K. Parat G. Bersuker K. Saraswat mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-49049102369
Codice identificativo ISI:	WOS:000256023400025
Nome del convegno:	9th Ultimate Integration on Silicon Conference (IEEE ULIS)
Luogo del convegno:	Udine, Italy
Data del convegno:	12-14 March 2008
Pagina iniziale:	111
Pagina finale:	114
Citazione:	Feasibility of SIO2/Al2O3 tunnel dielectric for future Flash memories generations / Padovani, Andrea; Larcher, Luca; S., Verma; Pavan, Paolo; P., Majhi; P., Kapur; K., Parat; G., Bersuker; K., Saraswat. - STAMPA. - (2008), pp. 111-114. ((Intervento presentato al convegno 9th Ultimate Integration on Silicon Conference (IEEE ULIS) tenutosi a Udine, Italy nel 12-14 March 2008.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/590235

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris