Modeling NAND Flash memories for circuit simulations

Larcher, Luca; Padovani, Andrea; Rimmaudo, I.; Pavan, Paolo; Calderoni, A.; Molteni, G.; Gattel, F.; Fantini, P.

In this paper, we will present the basic structure and the parameter extraction procedure for a compact model of a NAND Flash memory string working in Spice-like circuit simulators. To the author knowledge, this is the first Spice-like model of a NAND Flash memory string. This model is modular and simple to be implemented. It will allow accurately reproducing both DC and transient behavior of NAND Flash memories without increasing computational effort, thus becoming an indispensable tool for designers to optimize circuits especially in multi-level applications.

Modeling NAND Flash memories for circuit simulations / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; I., Rimmaudo; Pavan, Paolo; A., Calderoni; G., Molteni; F., Gattel; P., Fantini. - STAMPA. - (2007), pp. 293-296. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, IEEE SISPAD 2007 tenutosi a Vienna (Austria) nel September 2007.

Data di pubblicazione:	2007
Titolo:	Modeling NAND Flash memories for circuit simulations
Autore/i:	Larcher, Luca; Padovani, Andrea; I., Rimmaudo; Pavan, Paolo; A., Calderoni; G., Molteni; F., Gattel; P., Fantini
Autore/i UNIMORE:	LARCHER, Luca PADOVANI, ANDREA I. RIMMAUDO PAVAN, Paolo A. CALDERONI G. MOLTENI F. GATTEL P. FANTINI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-77950499915
Codice identificativo ISI:	WOS:000252105600070
Nome del convegno:	International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, IEEE SISPAD 2007
Luogo del convegno:	Vienna (Austria)
Data del convegno:	September 2007
Pagina iniziale:	293
Pagina finale:	296
Citazione:	Modeling NAND Flash memories for circuit simulations / Larcher, Luca; Padovani, Andrea; I., Rimmaudo; Pavan, Paolo; A., Calderoni; G., Molteni; F., Gattel; P., Fantini. - STAMPA. - (2007), pp. 293-296. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, IEEE SISPAD 2007 tenutosi a Vienna (Austria) nel September 2007.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/587550

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