EnglishIn this work, we presented a new technique to profile hole distribution in NROM devices. The evolution of the nitride charge in cycled cells was monitored. The key role played by holes in NROM retention degradation was identified. Electron injection far from the junction and VT drift in erased NROM cells are successfully explained.
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Titolo: | Hole Distributions in NROM Devices: Profiling Technique and Correlation to Memory Retention |
| Autori: | A. Padovani; L. Larcher; P. Pavan |
| Autori: | |
| Data del convegno: | April 15-19, 2007 |
| Nome del convegno: | 45th IEEE International Reliability Physics Symposium (IEEE IRPS) |
| Luogo del convegno: | Phoenix, Arizona (USA) |
| Titolo del libro: | 45th IEEE International Reliability Physics Symposium (IEEE IRPS) |
| Volume: | 1 |
| Pagina iniziale: | 654 |
| Pagina finale: | 655 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/587547
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