A Dual‐Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High‐Speed Reservoir Computing / Wang, Y., Shahriar, M.S., Soliman, S., Vaillancourt, N., Fernandes, L., Padovani, A., Khan, A.I., Hasan, M.S., Islam, R.. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - 12:13(2026), pp. 1-13. [10.1002/aelm.202500844]
A Dual‐Memory Ferroelectric Transistor Emulating Synaptic Metaplasticity for High‐Speed Reservoir Computing
Padovani, Andrea;
2026
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
ADVELE~1.PDF
Open access
Tipologia:
VOR - Versione pubblicata dall'editore
Dimensione
3.34 MB
Formato
Adobe PDF
|
3.34 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
Pubblicazioni consigliate

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris




