Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs / Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.. - (2022), pp. 31-34. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022 tenutosi a Redondo Beach, CA, USA nel 07-09 Nov. 2022) [10.1109/WiPDA56483.2022.9955267].

Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs

Zagni N.;Verzellesi G.;Chini A.
2022

2022
9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022
Redondo Beach, CA, USA
07-09 Nov. 2022
31
34
Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.
Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs / Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.. - (2022), pp. 31-34. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022 tenutosi a Redondo Beach, CA, USA nel 07-09 Nov. 2022) [10.1109/WiPDA56483.2022.9955267].
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