Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs / Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.. - (2022), pp. 31-34. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022 tenutosi a Redondo Beach, CA, USA nel 07-09 Nov. 2022) [10.1109/WiPDA56483.2022.9955267].

Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs

Zagni N.;Verzellesi G.;Chini A.
2022

2022
9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022
Redondo Beach, CA, USA
07-09 Nov. 2022
31
34
Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.
Symmetrical VTH/RONDrifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs / Zagni, N.; Cioni, M.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.. - (2022), pp. 31-34. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2022 tenutosi a Redondo Beach, CA, USA nel 07-09 Nov. 2022) [10.1109/WiPDA56483.2022.9955267].
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Symmetrical_VTH_RON_Drifts_Due_to_Negative_Positive_Gate_Stress_in_p-GaN_Power_HEMTs.pdf

Accesso riservato

Tipologia: Versione pubblicata dall'editore
Dimensione 2.22 MB
Formato Adobe PDF
2.22 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1295213
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 3
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact