Statistical modeling of leakage currents through SiO2/high- κ dielectrics stacks for non-volatile memory applications

Padovani, A.; Larcher, L.; Verma, S.; Pavan, P.; Majhi, P.; Kapur, P.; Parat, K.; Bersuker, G.; Saraswat, K.

doi:10.1109/RELPHY.2008.4558955

We present here a statistical Monte Carlo (MC) simulator modeling leakage currents across SiO2/high-κ dielectric stacks. We show that simulations accurately reproduce experimental currents measured at various temperatures on capacitors with different high-k dielectric stacks. We exploit statistical simulations to investigate the impact of high-κ's traps on leakage current distribution for Flash memory applications. We demonstrate that the high defectiveness typical of high-k materials strongly reduces the potential improvement due to the introduction of band-gap engineered high-κ tunnel dielectric stacks. In this regard, the simulator is a useful tool to optimize high-κ tunnel stacks and to improve technology- reliability issues related to Flash memory applications. © 2008 IEEE.

Statistical modeling of leakage currents through SiO2/high- κ dielectrics stacks for non-volatile memory applications / Padovani, A.; Larcher, L.; Verma, S.; Pavan, P.; Majhi, P.; Kapur, P.; Parat, K.; Bersuker, G.; Saraswat, K.. - (2008), pp. 616-620. ((Intervento presentato al convegno 46th Annual 2008 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS tenutosi a Phoenix, AZ, usa nel 2008 [10.1109/RELPHY.2008.4558955].

Data di pubblicazione:	2008
Titolo:	Statistical modeling of leakage currents through SiO2/high- κ dielectrics stacks for non-volatile memory applications
Autore/i:	Padovani, A.; Larcher, L.; Verma, S.; Pavan, P.; Majhi, P.; Kapur, P.; Parat, K.; Bersuker, G.; Saraswat, K.
Autore/i UNIMORE:	PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca Verma S. PAVAN, Paolo Majhi P. Kapur P. Parat K. Bersuker G. Saraswat K. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2008.4558955
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-51649109938
Codice identificativo ISI:	WOS:000257615900102
Nome del convegno:	46th Annual 2008 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS
Luogo del convegno:	Phoenix, AZ, usa
Data del convegno:	2008
Serie:	IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS
Pagina iniziale:	616
Pagina finale:	620
Citazione:	Statistical modeling of leakage currents through SiO2/high- κ dielectrics stacks for non-volatile memory applications / Padovani, A.; Larcher, L.; Verma, S.; Pavan, P.; Majhi, P.; Kapur, P.; Parat, K.; Bersuker, G.; Saraswat, K.. - (2008), pp. 616-620. ((Intervento presentato al convegno 46th Annual 2008 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS tenutosi a Phoenix, AZ, usa nel 2008 [10.1109/RELPHY.2008.4558955].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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