Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs / DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48 n.8:(2001), pp. 1811-1815.

Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs

ABRAMO, Antonio;SELMI, Luca;
2001-01-01

48 n.8
1811
1815
Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs / DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48 n.8:(2001), pp. 1811-1815.
DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.
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