Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs / DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48:8(2001), pp. 1811-1815. [10.1109/16.936711]

Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs

ABRAMO, Antonio;PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca;
2001

2001
48
8
1811
1815
Closed- and Open- boundary Models for Gate-Current calculation in n-MOSFETs / DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48:8(2001), pp. 1811-1815. [10.1109/16.936711]
DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Widdershoven, F.
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