EnglishWell-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000.
| Data di pubblicazione: | 2000 |
| Titolo: | Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis |
| Autore/i: | Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2000.871239 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0033710867 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000166421700046 |
| Nome del convegno: | International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices |
| Luogo del convegno: | SEATTLE, WA |
| Data del convegno: | SEP 06-08, 2000 |
| Pagina iniziale: | 188 |
| Pagina finale: | 191 |
| Citazione: | Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1163342
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