EnglishWell-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000 [10.1109/SISPAD.2000.871239].
| Data di pubblicazione: | 2000 | |
| Titolo: | Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis | |
| Autore/i: | Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2000.871239 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0033710867 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000166421700046 | |
| Nome del convegno: | International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices | |
| Luogo del convegno: | SEATTLE, WA | |
| Data del convegno: | SEP 06-08, 2000 | |
| Pagina iniziale: | 188 | |
| Pagina finale: | 191 | |
| Citazione: | Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000 [10.1109/SISPAD.2000.871239]. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1163342
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