Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000 [10.1109/SISPAD.2000.871239].

Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis

ABRAMO, Antonio;SELMI, Luca;
2000-01-01

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
SEATTLE, WA
SEP 06-08, 2000
188
191
Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.
Well-tempered MOSFETs: 1D versus 2D quantum analysis / Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Yu, Z; Dutton, R.. - (2000), pp. 188-191. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices tenutosi a SEATTLE, WA nel SEP 06-08, 2000 [10.1109/SISPAD.2000.871239].
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