Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, D., Abramo, A., Selmi, L., Sangiorgi, E.. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. (2002 IEEE International Devices Meeting (IEDM) San Francisco, CA, usa Dec. 2002).

Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs

ABRAMO, Antonio;SELMI, Luca;
2002
2002
Inglese
2002 IEEE International Devices Meeting (IEDM)
San Francisco, CA, usa
Dec. 2002
WOS:000185143400165
2-s2.0-0036923505
Proceedings International Electron Device Meeting (IEDM) 2002
719
722
4
0780374622
IEEE
345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico
Atti di CONVEGNO::Relazione in Atti di Convegno
273
4
Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, D., Abramo, A., Selmi, L., Sangiorgi, E.. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. (2002 IEEE International Devices Meeting (IEDM) San Francisco, CA, usa Dec. 2002).
none
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