In this paper the semi-classical and quantum-mechanical definitions of escape-time from quasi-bound states have been compared in the frame of MOSFET gate leakage-current calculations. The theoretical background and the numerical issues involved in the implementation of these approaches inside device simulators have been compared. Results on many different thin gate-oxide capacitors, and on a special purpose test structure with mercury-probe contact, point out that the semi-classical approach is faster, less demanding from the numerical point of view, and surprisingly accurate compared to the fully quantum-mechanical treatment of more physically-sound models.
Tunnelling Injection in Thin Oxide MOS Capacitors / . DALLA SERRA, A.; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Sangiorgi, E.. - STAMPA. - (2000). ((Intervento presentato al convegno Workshop on Advances in Silicon Technology and Devices tenutosi a Padova (Italy) nel Aprile 2000.
Data di pubblicazione: | 2000 | |
Titolo: | Tunnelling Injection in Thin Oxide MOS Capacitors | |
Autore/i: | . DALLA SERRA, A.; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Sangiorgi, E. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Nome del convegno: | Workshop on Advances in Silicon Technology and Devices | |
Luogo del convegno: | Padova (Italy) | |
Data del convegno: | Aprile 2000 | |
Citazione: | Tunnelling Injection in Thin Oxide MOS Capacitors / . DALLA SERRA, A.; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Sangiorgi, E.. - STAMPA. - (2000). ((Intervento presentato al convegno Workshop on Advances in Silicon Technology and Devices tenutosi a Padova (Italy) nel Aprile 2000. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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2000_04_WorkshopSiliconTechnology_DallaSerra_TunnelingInjection.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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