Quantitative Assesment of mobility degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-thin oxide MOSFETs: measurement and simulations / Lucci, Luca; Esseni, David; J., Loo; Y., Ponomarev; Selmi, Luca; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico. - (2003), pp. 463-466. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting tenutosi a Washington DC nel Dec.2003.

Quantitative Assesment of mobility degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-thin oxide MOSFETs: measurement and simulations

SELMI, Luca;ABRAMO, Antonio;
2003-01-01

IEEE International Electron Device Meeting
Washington DC
Dec.2003
463
466
Lucci, Luca; Esseni, David; J., Loo; Y., Ponomarev; Selmi, Luca; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico
Quantitative Assesment of mobility degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-thin oxide MOSFETs: measurement and simulations / Lucci, Luca; Esseni, David; J., Loo; Y., Ponomarev; Selmi, Luca; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico. - (2003), pp. 463-466. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting tenutosi a Washington DC nel Dec.2003.
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