Physically Based modeling of Low Field Electron Mobility in Ultrathin Single- and Double-Gate SOI n-MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50:(2003), pp. 2445-2455. [10.1109/TED.2003.819256]

Physically Based modeling of Low Field Electron Mobility in Ultrathin Single- and Double-Gate SOI n-MOSFETs

ABRAMO, Antonio;SELMI, Luca;
2003

50
2445
2455
Physically Based modeling of Low Field Electron Mobility in Ultrathin Single- and Double-Gate SOI n-MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50:(2003), pp. 2445-2455. [10.1109/TED.2003.819256]
Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico
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