Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs / Palestri, P., Selmi, L., Dalla Serra, A., Abramo, A., Sangiorgi, E., M., P., P., R., F., W. - In: Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium / S.Luryi and J.Xu and A.Zaslavsky ; [a cura di] S. Luryi J. Xu A. Zaslavsky. - USA : Wiley, 2002. - ISBN 0471212474. - pp. 99-112

Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs

PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca;ABRAMO, Antonio;
2002

2002
Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium
S. Luryi J. Xu A. Zaslavsky
99
112
14
0471212474
Wiley
STATI UNITI D'AMERICA
USA
Advanced Physically Based Device Modeling for Gate Current and Hot Carrier Phenomena in Scaled MOSFETs / Palestri, P., Selmi, L., Dalla Serra, A., Abramo, A., Sangiorgi, E., M., P., P., R., F., W. - In: Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium / S.Luryi and J.Xu and A.Zaslavsky ; [a cura di] S. Luryi J. Xu A. Zaslavsky. - USA : Wiley, 2002. - ISBN 0471212474. - pp. 99-112
Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Dalla Serra, Alberto; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico; M., Pavesi; P., Rigolli; F., Widdershoven
8
Contributo su VOLUME::Capitolo/Saggio
268
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