In this work we investigate the charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM applications. We explored the atomic defect configurations actively assisting the charge transport in sub-stoichiometric TiOx through a multi-scale approach. We combined density-functional-theory-based non-equilibrium Green's function approach (DFT-NEGF) with physical-based trap assisted tunneling (TAT) modeling to identify the defects dominating the current conduction mechanism and the physical parameters of the defects responsible for the trap-assisted tunneling (TAT). The values of the thermal ionization energy ET and relaxation energy EREL extracted are 0.35-0.4eV and 0.7eV, respectively.
Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application / Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi. - art. no. 6931557(2014), pp. 37-40. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD tenutosi a Mielparque YokohamaYokohama; Japan nel 9/09/2014 [10.1109/SISPAD.2014.6931557].
Data di pubblicazione: | 2014 | |
Titolo: | Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application | |
Autore/i: | Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2014.6931557 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84908703142 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000364919800010 | |
Nome del convegno: | International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD | |
Luogo del convegno: | Mielparque YokohamaYokohama; Japan | |
Data del convegno: | 9/09/2014 | |
Volume: | art. no. 6931557 | |
Pagina iniziale: | 37 | |
Pagina finale: | 40 | |
Citazione: | Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application / Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi. - art. no. 6931557(2014), pp. 37-40. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD tenutosi a Mielparque YokohamaYokohama; Japan nel 9/09/2014 [10.1109/SISPAD.2014.6931557]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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