Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application

Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Zhao, L.; Magyari Köpe, B.; Nishi, Y.

doi:10.1109/SISPAD.2014.6931557

In this work we investigate the charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM applications. We explored the atomic defect configurations actively assisting the charge transport in sub-stoichiometric TiOx through a multi-scale approach. We combined density-functional-theory-based non-equilibrium Green's function approach (DFT-NEGF) with physical-based trap assisted tunneling (TAT) modeling to identify the defects dominating the current conduction mechanism and the physical parameters of the defects responsible for the trap-assisted tunneling (TAT). The values of the thermal ionization energy ET and relaxation energy EREL extracted are 0.35-0.4eV and 0.7eV, respectively.

Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application / Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi. - art. no. 6931557(2014), pp. 37-40. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD tenutosi a Mielparque YokohamaYokohama; Japan nel 9/09/2014.

Data di pubblicazione:	2014
Titolo:	Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application
Autore/i:	Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi
Autore/i UNIMORE:	PIRROTTA, Onofrio PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca L. Zhao B. Magyari Köpe Y. Nishi mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2014.6931557
Nome del convegno:	International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD
Luogo del convegno:	Mielparque YokohamaYokohama; Japan
Data del convegno:	9/09/2014
Volume:	art. no. 6931557
Pagina iniziale:	37
Pagina finale:	40
Citazione:	Multi-scale modeling of oxygen vacancies assisted charge transport in sub-stoichiometric TiOx for RRAM application / Pirrotta, Onofrio; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; L., Zhao; B., Magyari Köpe; Y., Nishi. - art. no. 6931557(2014), pp. 37-40. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD tenutosi a Mielparque YokohamaYokohama; Japan nel 9/09/2014.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1076382

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris