RUGGIERI, ALESSANDRO
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 257
AS - Asia 172
EU - Europa 76
SA - Sud America 10
AF - Africa 6
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 4
Totale 525
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 252
IT - Italia 51
CN - Cina 41
TW - Taiwan 27
BD - Bangladesh 25
SG - Singapore 25
VN - Vietnam 17
IN - India 10
HK - Hong Kong 8
KR - Corea 8
BR - Brasile 7
GB - Regno Unito 6
BE - Belgio 4
CA - Canada 4
JP - Giappone 4
RU - Federazione Russa 4
DE - Germania 3
DZ - Algeria 3
FR - Francia 3
AR - Argentina 2
JO - Giordania 2
PK - Pakistan 2
BG - Bulgaria 1
EC - Ecuador 1
EE - Estonia 1
EG - Egitto 1
ET - Etiopia 1
HN - Honduras 1
ID - Indonesia 1
IQ - Iraq 1
NL - Olanda 1
PL - Polonia 1
SE - Svezia 1
TN - Tunisia 1
TR - Turchia 1
Totale 521
Città #
Ashburn 36
Singapore 20
Santa Clara 18
San Jose 16
Hefei 15
Taipei 14
Council Bluffs 13
Bologna 8
New York 8
Los Angeles 7
New Taipei City 7
Hanoi 6
Hong Kong 6
Modena 6
Beijing 5
Seoul 5
Taranto 5
Ho Chi Minh City 4
San Francisco 4
Tokyo 4
Boardman 3
Dallas 3
Guangzhou 3
London 3
Orem 3
Toronto 3
Amman 2
Antwerp 2
Arezzo 2
Buffalo 2
Ceranova 2
Chicago 2
Clifton Park 2
Daan 2
Denver 2
Dresden 2
Ferrara 2
Hangzhou 2
Leuven 2
Mysore 2
Namdong-gu 2
Phoenix 2
Rūpnagar 2
Srinagar 2
Tower Hamlets 2
Washington 2
Wilmington 2
Zhubei 2
Addis Ababa 1
Amsterdam 1
Baghdad 1
Baltimore 1
Barueri 1
Birmingham 1
Biên Hòa 1
Bolton 1
Boston 1
Bragado 1
Brooklyn 1
Béziers 1
Castellarano 1
Centerville 1
Chandler 1
Changning 1
Columbus 1
Colón 1
Crawfordville 1
Curitiba 1
Da Nang 1
Denpasar 1
Detroit 1
Draria 1
Dripping Springs 1
Elk Grove Village 1
Eustis 1
Franklin 1
Frederico Westphalen 1
Giza 1
Grand Rapids 1
Guayaquil 1
Hillsboro 1
Huế 1
Indianapolis 1
Islamabad 1
Kent 1
Las Vegas 1
Lauterbourg 1
Limeira 1
Liuzhou 1
McMinnville 1
Melrose Park 1
Memphis 1
Miano 1
Montecchio Emilia 1
Monza 1
Moscow 1
Myrtle Beach 1
Nanjing 1
Naples 1
New Delhi 1
Totale 321
Nome #
On the design of LDMOS finFETs in advanced technology nodes 246
Novel 3.3V RF-LDMOS in 16nm FinFET with the best RF and reliability trade-off enabling integrated Watt-level power amplifiers in connectivity SoC 206
Assessment of dual-oxide options for LDMOS transistors in FinFET technology 51
A Model for Hot-Electron Injection in the Passivation Layer of AlGaN/GaN HFETs Based on Monte Carlo Simulations 22
Totale 525
Categoria #
all - tutte 1.410
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.410


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/2025114 0 0 0 28 16 14 9 4 7 3 17 16
2025/2026221 20 10 16 9 8 4 19 17 19 33 35 31
2026/2027190 20 93 58 19 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 525