Analysis of Correlated Gate and Drain Random Telegraph Noise in Post-Soft Breakdown TiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs

Liu, W. H.; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Raghavan, N.; Pey, K. L.

doi:10.1109/LED.2013.2295923

We investigate correlated gate (IG) and drain (ID) random telegraph noise phenomena observed in post breakdown regime on nMOSFET TiN/HfLaO/SiOx gate stacks. We observe two different IG-ID correlation patterns (i.e. of the same and opposite polarities) that we attributed to charge trapping into oxygen vacancy traps of different kinds located in the SiOx close to the Si/SiOx interface. Results reported in this letter provide useful information for improving the understanding of IG/ID RTN phenomena and its impact on the reliability of post-SBD nanometer MOSFETs.

Analysis of Correlated Gate and Drain Random Telegraph Noise in Post-Soft Breakdown TiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs / W. H., Liu; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; N., Raghavan; K. L., Pey. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - STAMPA. - 35:2(2014), pp. 157-159. [10.1109/LED.2013.2295923]

Data di pubblicazione:	2014
Titolo:	Analysis of Correlated Gate and Drain Random Telegraph Noise in Post-Soft Breakdown TiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs
Autore/i:	W. H., Liu; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; N., Raghavan; K. L., Pey
Autore/i UNIMORE:	W. H. Liu PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca N. Raghavan K. L. Pey mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2013.2295923
Rivista:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Volume:	35
Fascicolo:	2
Pagina iniziale:	157
Pagina finale:	159
Codice identificativo ISI:	WOS:000331377500003
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84893876301
Citazione:	Analysis of Correlated Gate and Drain Random Telegraph Noise in Post-Soft Breakdown TiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs / W. H., Liu; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; N., Raghavan; K. L., Pey. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - STAMPA. - 35:2(2014), pp. 157-159. [10.1109/LED.2013.2295923]
Tipologia	Articolo su rivista

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